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11 月 29 日消息，虽然双十一多数终端产品销售平淡，但在三大原厂（三星、SK 海力士及美光）大幅减产、控制产出的前提下，存储芯片现货涨价趋势持续，其中 NAND 因亏损较严重，涨幅较为明显。
据中国台湾媒体《工商时报》，存储芯片大厂减产保价策略十分奏效，Q4 合约价报价优于市场预期，其中 DDR5 上涨 15～20％，DDR4 上涨 10～15％，DDR3 上涨 10％，而原先预估仅 5～10％。同时，NAND 每家平均涨幅至少在 20～25％，涨幅明显更高。
另外，三星对 DRAM 正常报价，但在 NAND 部分则暂停报价，同时也不出货，最新报价仍待观察。
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IT之家查询发现，InSpectrum 最新报价显示，DRAM 现货中 4Gb 和 8Gb DDR4 近一周报价基本持平，但近一月报价已上涨 3.03％和 1.97％。
在 NAND Flash 现货方面，256Gb 周报价基本持平，但和 512Gb TLC Flash 上涨 4.12％，月报价则分别上涨 15.25％和 27.78％。
TrendForce 分析师预计预估，第四季 DRAM 报价将会增长 3～8％，而第三季跌幅为 0～5％；第四季 NAND 报价季增 8～13％，也远优于第三季的跌幅 5～10％。
据称，三星第四季度 DRAM 减产幅度达 30％，SK 海力士及美光减产幅度达 20％，原厂对 NAND 的减产幅度更高，预计三大供应商减产将持续至 2024 年中，且资本支出和产出将聚焦于利润更高的部分，如 HBM 和 DDR5。